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长鑫科技第六代DRAM技术平台完成工程样片验证
【长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】国产存储芯片龙头长鑫科技第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。
AI 导读
长鑫科技宣布基于4F²垂直沟道架构的第六代DRAM工艺技术平台已完成工程样片验证。10月30日，该公司在第三季度业绩交流会中透露这一进展，并首次确认该平台基于4F²架构。工程样片验证通过意味着核心性能指标达到设计预期，后续经客户端验证即可进入规模量产阶段。
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